全自動變溫霍爾效應測試儀是表征半導體材料的基本工具。結合相關材料電阻率測量，霍爾效應分析測量方法確定一個重要的半導體復合材料質量特性，例如電荷載流子極性、電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率。霍爾效應進行電壓通過測量的挑戰主要在于它們的量非常小，例如微伏，甚至可以更低。如果半導體材料具有高電阻率和/或低載流子遷移率，在這些低電壓下，電平誤差項可能具有重要的數量級，影響測量的霍爾電壓。對于霍爾效應進行測量，誤差項來自中國多個數據來源，包括與樣品組織結構和樣品幾何形狀設計相關的誤差、金屬連接中的固有誤差，以及企業對于我們一個標準樣品而言，由非理想樣品幾何形狀可以引起的電壓誤差和熱電誤差。本技術描述將描述這些誤差中很常見的誤差，并推薦解決這些誤差以消除或極小化高質量霍爾效應測量中的誤差的方法。

　　霍爾棒為產生霍爾效應研究提供了更理想的幾何測量，因為我們這種不同類型的結構設計能夠可以通過網絡結構的長軸實現恒定的電流密度。

　　在這種情況下，測試樣本必須具有允許將測試樣本連接到全自動變溫霍爾效應測試儀以進行所需特性測量的霍爾測量。需要連接到服務器樣本，并且我們每個連接都會影響產生直接接觸電阻。保持盡可能低的接觸電阻和歐姆將減少接觸電阻對電阻測量的影響。歐姆意味著線性接觸遵守歐姆定律。金屬-半導體連接或接口技術具有肖特基二極管特性，這使得企業獲得歐姆接觸社會成為我國一項任務艱巨的挑戰，將低歐姆接觸的電阻與樣品電阻產生的電阻的電阻水平進行比較，很小測量誤差由非線性分量組成，這種聯系是微不足道的，高接觸電阻會導致樣品自熱和熱誤差電壓增加，對于固定的激勵電流，低接觸電阻會導致導線上的電壓測量值更高。

　　幾種接觸沉積方法包括：

　　1.使用金屬基涂料和漿料；

　　2.直接在半導體表面熔化金屬；

　　3.蒸發濺射；

　　4.分子束外延；

　　5.離子注入。

　　一旦接觸材料沉積在半導體表面上，就可以通過常規烘箱、激光、電子束或快速加熱爐對接觸進行熱退火。一種使用鹵素燈將半導體快速加熱到退火溫度并保持溫度在 10 到 30 秒的退火工藝。

　　全自動變溫霍爾效應測試儀無論使用何種沉積技術，對細節的關注和良好的技術都會限度地減少非歐姆效應。確保樣品觸點質量的四個具有重要方面考慮影響因素主要包括連接工藝的選擇、觸點材料的選擇、觸點的放置和樣品結構設計以及通過連接的穩定性。